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0510-88276101鋰電復(fù)合銅箔制備技術(shù)及難點!
發(fā)布時間:2023-10-09瀏覽次數(shù):載入中...
由于厚度降低,銅箔在生產(chǎn)時容易出現(xiàn)褶皺、凹陷等缺陷,導(dǎo)致在其表面涂抹活性材料時,出現(xiàn)涂布厚度不均,甚至出現(xiàn)漏點或滲透等現(xiàn)象,進而增大電池內(nèi)阻,減少循環(huán)壽命。同時,厚度降低,其機械強度大幅下降,導(dǎo)致在負(fù)極生產(chǎn)過程中容易出現(xiàn)斷裂,影響負(fù)極尺寸的穩(wěn)定性和平整性。
目前,采用有機薄膜作為載體,利用濺鍍法制備的復(fù)合銅箔,兼?zhèn)渚酆衔飪?yōu)良的塑性,又能減輕銅箔的整體重量,極大減少了銅原料的用量。同時,絕緣有機薄膜中間載體有利于提高電池的安全性,是當(dāng)下鋰電行業(yè)極具潛力的新型鋰電負(fù)極集流體材料。
本文針對聚合物復(fù)合銅箔的制備方法、存在的技術(shù)性難題、研究進展以及應(yīng)用前景進行了梳理和展望,為開展進一步的聚合物復(fù)合銅箔理論研究及產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用提供參考。
1、聚合物復(fù)合銅箔的制備方法
聚合物復(fù)合銅箔的制備方法大致分為三類,具體的制備工藝如下:
一是將銅粉、導(dǎo)電劑和膠水均勻混合后,得到銅粉漿料,然后采用凹版涂布工藝將漿料涂敷于聚合物基膜上,通過電解銅箔工藝,在制備的基膜上增厚銅層,然后就制得復(fù)合銅箔。
由于此工藝在制備漿料時,銅粉與膠水相容性和分散性差,銅粉容易團聚,致使基膜方阻差異性較大,且制備的復(fù)合銅箔面密度均一性較差。
二是采用聚酯薄膜作為絕緣層,用干式復(fù)合機在聚酯薄膜的表面涂敷膠液,然后用烘干機將聚酯薄膜烘干,接著用壓輥機將電解銅箔與聚酯薄膜進行粘合制得復(fù)合銅箔。
此工藝制備的復(fù)合銅箔存在抗剝離性能差等缺陷,會導(dǎo)致使用過程中出現(xiàn)分層或脫落現(xiàn)象。
三是采用磁控濺射加水電鍍工藝進行復(fù)合銅箔的生產(chǎn)。
具體制備工藝流程大體上分為兩步,如圖1所示。
前一道工序是在4μm(材質(zhì)為PET/PI)的聚合物薄膜上,采用磁控濺射沉積粒子工藝技術(shù),通過利用高動能的荷能粒子,轟擊純度為99.999%的銅靶材,使得銅原子獲得足夠能量濺出,在基膜表面濺射沉積0.02~0.08μm的銅種子層,使聚合物表面具有金屬特性,得到4.5μm的金屬化基膜。
第二道工序則采用水電鍍工藝,在金屬化薄膜兩側(cè)電鍍加厚至1μm,得到厚度為6.5μm的新型聚合物復(fù)合銅箔。此工藝制備的復(fù)合銅箔具有抗剝離性強、延展性好、厚度均一等特點,現(xiàn)已在國內(nèi)新能源儲能設(shè)備上得到應(yīng)用。
從上述3種工藝相比較而言,其優(yōu)劣勢也很明顯。前兩者對設(shè)備要求較低,且投入量較少;而采用磁控濺射技術(shù)則對于設(shè)備及生產(chǎn)條件要求較為苛刻,且投入資金較大。但就產(chǎn)品質(zhì)量而言,后者更勝一籌,這也是未來銅箔行業(yè)發(fā)展的趨勢。
2 聚合物復(fù)合銅箔技術(shù)難點及解決方案
采用磁控濺射技術(shù)制備聚合物復(fù)合銅箔時,由于非金屬聚合物基材的結(jié)晶度大、極性小、表面能低,濺鍍時會影響鍍層與基材之間的附著力,且聚合物基材為不導(dǎo)電絕緣體,無法進行電鍍增厚。因此,需要先進行表面活化處理,形成導(dǎo)電金屬膜,然后進行電鍍增厚工藝。所以,聚合物表面種子層質(zhì)量的優(yōu)劣決定了復(fù)合銅箔的質(zhì)量。由于聚合物基體厚度為幾微米,磁控濺射沉積技術(shù)在工藝及設(shè)備方面面臨較大難度。
2.1 工藝方面
(1)銅種子層結(jié)合力差
常規(guī)磁控濺射沉積粒子能量較低,無法對高分子聚合物基體表面進行有效活化處理,導(dǎo)致銅種子層與聚合物基體間的結(jié)合力較差,如圖2所示。
(2)銅膜針的孔率高
常規(guī)磁控濺射沉積區(qū)域較小,在寬幅較大的聚合物基材表面沉積制備的銅種子層結(jié)構(gòu)可控性、致密性、均勻性差,進而極大增加了電鍍增厚過程中產(chǎn)生孔洞的概率,如圖 3所示。
(3)基材褶皺、穿孔
如圖4所示,銅金屬在磁控濺射到高分子聚合物基材表面時,由于濺射的銅原子具有較高的能量,會使基體溫度明顯升高,造成局部褶皺現(xiàn)象;同時高溫熔融狀態(tài)的銅金屬沉積物可能會熔穿聚合物,出現(xiàn)穿孔問題,進而在后續(xù)卷的連續(xù)生產(chǎn)過程中引起斷帶等問題。采用磁控濺射制備復(fù)合銅膜時,為提高銅種子層與基膜的結(jié)合力,解決上述存在的問題,通常需對基膜進行預(yù)熱處理,使得基底溫度控制在40~50℃為宜。
(4)銅種子層與電鍍工藝匹配性問題
銅種子層的致密性和粗糙度等因素會因末端放電效應(yīng),影響了復(fù)合銅箔的質(zhì)量。
2.2 設(shè)備方面
(1)張力控制問題
為能滿足在聚合物基體表面連續(xù)沉積銅薄膜,需要使用真空卷對卷連續(xù)沉積,而聚合物因厚度為幾微米,其抗拉強度較低,在生產(chǎn)寬幅材料時容易拉扯變形,出現(xiàn)起皺、斷帶等問題。
(2)鍍膜均勻性低
在磁控濺射時,若對于磁場噴射角度或大小等未調(diào)控好,可能會造成種子層粘附不均勻,導(dǎo)致產(chǎn)品面密度差異性較大。
(3)靶材利用率低
靶材作為聚合物復(fù)合銅箔的關(guān)鍵基材之一,在磁控濺射過程中消耗量巨大,利用率約占 30%。如何提高靶材利用率是目前制約該行業(yè)進一步發(fā)展的技術(shù)壁壘。
(4)磁控鍍膜沉積速率低
雖然常規(guī)的磁控濺射設(shè)備在進行金屬沉積時具有較快的速率,但在濺射過程中因金屬具有較高的能量,使得基膜溫度明顯升高,進而導(dǎo)致聚合物出現(xiàn)高溫收縮變形現(xiàn)象,因此需要散熱處理。在保證快速沉積的前提下,如何使基體保持較低溫度,是目前仍未解決的難題。
(5)濺射沉積種子層與電鍍增厚裝備的匹配性問題
常規(guī)磁控濺射沉積換樣時需要對磁控鍍膜室進行破空,因而需要大量的抽真空時間,導(dǎo)致濺射沉積效率低下,難與電鍍增厚設(shè)備匹配。
2.3 解決方案
目前,針對磁控濺射技術(shù)制備聚合物復(fù)合銅箔在工藝和設(shè)備方面面臨的技術(shù)難點,國內(nèi)以蘭州物化研究所為表示的科研機構(gòu)聯(lián)合地方企業(yè),重點圍繞磁控濺射沉積裝備設(shè)計制造、磁控濺射沉積技術(shù)及制備工藝匹配等方面開展了相關(guān)研究工作,并根據(jù)上述存在的技術(shù)性難題提出了可行性解決方案,具體內(nèi)容包括:
設(shè)備方面,通過采用多腔體隔離設(shè)計,優(yōu)化配置多組濺射靶,在保證種子層具有良好的致密性和均勻性的條件下,實現(xiàn)快速沉積。同時,應(yīng)用多電機恒速、恒張力走膜卷繞傳動和控制技術(shù),實現(xiàn)高效連續(xù)生產(chǎn)。
工藝方面,通過采用高能量非金屬原子轟擊、刻蝕和清洗技術(shù),將高能量銅原子注入高分子聚合物基底,形成界面互穿網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),有效避免兩者結(jié)合力差、出現(xiàn)脫落或剝離等情況,實現(xiàn)高質(zhì)量復(fù)合銅膜的制備。
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目前,采用有機薄膜作為載體,利用濺鍍法制備的復(fù)合銅箔,兼?zhèn)渚酆衔飪?yōu)良的塑性,又能減輕銅箔的整體重量,極大減少了銅原料的用量。同時,絕緣有機薄膜中間載體有利于提高電池的安全性,是當(dāng)下鋰電行業(yè)極具潛力的新型鋰電負(fù)極集流體材料。
本文針對聚合物復(fù)合銅箔的制備方法、存在的技術(shù)性難題、研究進展以及應(yīng)用前景進行了梳理和展望,為開展進一步的聚合物復(fù)合銅箔理論研究及產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用提供參考。
1、聚合物復(fù)合銅箔的制備方法
聚合物復(fù)合銅箔的制備方法大致分為三類,具體的制備工藝如下:
一是將銅粉、導(dǎo)電劑和膠水均勻混合后,得到銅粉漿料,然后采用凹版涂布工藝將漿料涂敷于聚合物基膜上,通過電解銅箔工藝,在制備的基膜上增厚銅層,然后就制得復(fù)合銅箔。
由于此工藝在制備漿料時,銅粉與膠水相容性和分散性差,銅粉容易團聚,致使基膜方阻差異性較大,且制備的復(fù)合銅箔面密度均一性較差。
二是采用聚酯薄膜作為絕緣層,用干式復(fù)合機在聚酯薄膜的表面涂敷膠液,然后用烘干機將聚酯薄膜烘干,接著用壓輥機將電解銅箔與聚酯薄膜進行粘合制得復(fù)合銅箔。
此工藝制備的復(fù)合銅箔存在抗剝離性能差等缺陷,會導(dǎo)致使用過程中出現(xiàn)分層或脫落現(xiàn)象。
三是采用磁控濺射加水電鍍工藝進行復(fù)合銅箔的生產(chǎn)。
具體制備工藝流程大體上分為兩步,如圖1所示。
前一道工序是在4μm(材質(zhì)為PET/PI)的聚合物薄膜上,采用磁控濺射沉積粒子工藝技術(shù),通過利用高動能的荷能粒子,轟擊純度為99.999%的銅靶材,使得銅原子獲得足夠能量濺出,在基膜表面濺射沉積0.02~0.08μm的銅種子層,使聚合物表面具有金屬特性,得到4.5μm的金屬化基膜。
第二道工序則采用水電鍍工藝,在金屬化薄膜兩側(cè)電鍍加厚至1μm,得到厚度為6.5μm的新型聚合物復(fù)合銅箔。此工藝制備的復(fù)合銅箔具有抗剝離性強、延展性好、厚度均一等特點,現(xiàn)已在國內(nèi)新能源儲能設(shè)備上得到應(yīng)用。
從上述3種工藝相比較而言,其優(yōu)劣勢也很明顯。前兩者對設(shè)備要求較低,且投入量較少;而采用磁控濺射技術(shù)則對于設(shè)備及生產(chǎn)條件要求較為苛刻,且投入資金較大。但就產(chǎn)品質(zhì)量而言,后者更勝一籌,這也是未來銅箔行業(yè)發(fā)展的趨勢。
2 聚合物復(fù)合銅箔技術(shù)難點及解決方案
采用磁控濺射技術(shù)制備聚合物復(fù)合銅箔時,由于非金屬聚合物基材的結(jié)晶度大、極性小、表面能低,濺鍍時會影響鍍層與基材之間的附著力,且聚合物基材為不導(dǎo)電絕緣體,無法進行電鍍增厚。因此,需要先進行表面活化處理,形成導(dǎo)電金屬膜,然后進行電鍍增厚工藝。所以,聚合物表面種子層質(zhì)量的優(yōu)劣決定了復(fù)合銅箔的質(zhì)量。由于聚合物基體厚度為幾微米,磁控濺射沉積技術(shù)在工藝及設(shè)備方面面臨較大難度。
2.1 工藝方面
(1)銅種子層結(jié)合力差
常規(guī)磁控濺射沉積粒子能量較低,無法對高分子聚合物基體表面進行有效活化處理,導(dǎo)致銅種子層與聚合物基體間的結(jié)合力較差,如圖2所示。
(2)銅膜針的孔率高
常規(guī)磁控濺射沉積區(qū)域較小,在寬幅較大的聚合物基材表面沉積制備的銅種子層結(jié)構(gòu)可控性、致密性、均勻性差,進而極大增加了電鍍增厚過程中產(chǎn)生孔洞的概率,如圖 3所示。
(3)基材褶皺、穿孔
如圖4所示,銅金屬在磁控濺射到高分子聚合物基材表面時,由于濺射的銅原子具有較高的能量,會使基體溫度明顯升高,造成局部褶皺現(xiàn)象;同時高溫熔融狀態(tài)的銅金屬沉積物可能會熔穿聚合物,出現(xiàn)穿孔問題,進而在后續(xù)卷的連續(xù)生產(chǎn)過程中引起斷帶等問題。采用磁控濺射制備復(fù)合銅膜時,為提高銅種子層與基膜的結(jié)合力,解決上述存在的問題,通常需對基膜進行預(yù)熱處理,使得基底溫度控制在40~50℃為宜。
(4)銅種子層與電鍍工藝匹配性問題
銅種子層的致密性和粗糙度等因素會因末端放電效應(yīng),影響了復(fù)合銅箔的質(zhì)量。
2.2 設(shè)備方面
(1)張力控制問題
為能滿足在聚合物基體表面連續(xù)沉積銅薄膜,需要使用真空卷對卷連續(xù)沉積,而聚合物因厚度為幾微米,其抗拉強度較低,在生產(chǎn)寬幅材料時容易拉扯變形,出現(xiàn)起皺、斷帶等問題。
(2)鍍膜均勻性低
在磁控濺射時,若對于磁場噴射角度或大小等未調(diào)控好,可能會造成種子層粘附不均勻,導(dǎo)致產(chǎn)品面密度差異性較大。
(3)靶材利用率低
靶材作為聚合物復(fù)合銅箔的關(guān)鍵基材之一,在磁控濺射過程中消耗量巨大,利用率約占 30%。如何提高靶材利用率是目前制約該行業(yè)進一步發(fā)展的技術(shù)壁壘。
(4)磁控鍍膜沉積速率低
雖然常規(guī)的磁控濺射設(shè)備在進行金屬沉積時具有較快的速率,但在濺射過程中因金屬具有較高的能量,使得基膜溫度明顯升高,進而導(dǎo)致聚合物出現(xiàn)高溫收縮變形現(xiàn)象,因此需要散熱處理。在保證快速沉積的前提下,如何使基體保持較低溫度,是目前仍未解決的難題。
(5)濺射沉積種子層與電鍍增厚裝備的匹配性問題
常規(guī)磁控濺射沉積換樣時需要對磁控鍍膜室進行破空,因而需要大量的抽真空時間,導(dǎo)致濺射沉積效率低下,難與電鍍增厚設(shè)備匹配。
2.3 解決方案
目前,針對磁控濺射技術(shù)制備聚合物復(fù)合銅箔在工藝和設(shè)備方面面臨的技術(shù)難點,國內(nèi)以蘭州物化研究所為表示的科研機構(gòu)聯(lián)合地方企業(yè),重點圍繞磁控濺射沉積裝備設(shè)計制造、磁控濺射沉積技術(shù)及制備工藝匹配等方面開展了相關(guān)研究工作,并根據(jù)上述存在的技術(shù)性難題提出了可行性解決方案,具體內(nèi)容包括:
設(shè)備方面,通過采用多腔體隔離設(shè)計,優(yōu)化配置多組濺射靶,在保證種子層具有良好的致密性和均勻性的條件下,實現(xiàn)快速沉積。同時,應(yīng)用多電機恒速、恒張力走膜卷繞傳動和控制技術(shù),實現(xiàn)高效連續(xù)生產(chǎn)。
工藝方面,通過采用高能量非金屬原子轟擊、刻蝕和清洗技術(shù),將高能量銅原子注入高分子聚合物基底,形成界面互穿網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),有效避免兩者結(jié)合力差、出現(xiàn)脫落或剝離等情況,實現(xiàn)高質(zhì)量復(fù)合銅膜的制備。
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