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0510-88276101真空清洗工藝
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真空清洗一般定義為在真空工藝進行前,先從工件或系統(tǒng)材料表面清理所不期望的物質(zhì)的過程。真空零部件的表面清洗處理是很必要的,因為由污染物所造成的氣體、蒸氣源會使真空系統(tǒng)不能獲得所要求的真空度。此外,由于污染物的存在,還會影響真空部件連接處的強度和密封性能。
一.真空加熱清洗
利用紫外輻照來分解表面上的碳氫化合物。例如,在空氣中照射15h就可產(chǎn)生清潔的玻璃表面。如果把適當預清洗的表面放在一個產(chǎn)生臭氧的紫外線源中.要不了幾分鐘就可以形成清潔表面(工藝清潔)。這表明臭氧的存在增加了清潔速率。其清洗機理是:在紫外線照射下,污物分子受激并離解,而臭氧的生成和存在產(chǎn)生高活性的原子態(tài)氧。受激的污物分子和由污物離解產(chǎn)生的自由基與原子態(tài)氧作用.形成較簡單易揮發(fā)分子.如H203、CO2和N2.其反應速率隨溫度的增加而增加.
三.放電清洗
這種清洗方法在高真空,超高真空系統(tǒng)的清洗除氣中應用的非常廣.尤其是在真空鍍膜設(shè)備中用的較多。利用熱絲或電極作為電子源.在其相對于待清洗的表面加負偏壓可以實現(xiàn)離子轟擊的氣體解吸及某些碳氫化合物的去除.清洗效果取決于電極材料、幾何形狀及其與表面的關(guān)系.即取決于單位表面積上的離子數(shù)和離子能量.從而取決于有效電功率。在真空室中充入適當分壓力的惰性氣體(典型的如Ar氣).可以利用兩個適當?shù)碾姌O間的低壓下的輝光放電產(chǎn)生的離子轟擊來達到清洗的目的。該方法中.惰性氣體被離化并轟擊真空室內(nèi)壁、真空室內(nèi)的其它結(jié)構(gòu)件及被鍍基片,它可以使某些真空系統(tǒng)免除被高溫烘烤。如果在充入的氣體中加入氧氣,對某些碳氫化合物可以獲得更好的清洗效果。因為氧氣可以使某些碳氫化合物氧化生成易揮發(fā)性氣體而容易被真空系統(tǒng)排除。不銹鋼高真空和超高真空容器表面上雜質(zhì)的主要成分是碳和碳氫化合物。一般情況下,其中的碳不能單獨揮發(fā).經(jīng)化學清洗后,需要引入Ar或Ar+O2混合氣體進行輝光放電清洗,使表面上的雜質(zhì)和由于化學作用被束縛在表面上的氣體得到清理.在輝光放電清洗中.較重要的參數(shù)是外加電壓的類型(交流或直流),放電電壓大小、電流密度、充入氣體種類和壓力.轟擊的持續(xù)時間.電極的形狀以及待清洗的部件的材料和位置等.
四.氣體沖洗
1.氮氣沖洗
氮氣在材料表面吸附時,由于吸附能小,因而吸留表面時間極短.即便吸附在器壁上,也很容易被抽走。利用氮氣的這種性質(zhì)沖洗真空系統(tǒng),可以縮短系統(tǒng)的抽氣時間。如真空鍍膜機在放入大氣之前,先用干燥氮氣充入真空室沖刷一下再充入大氣,則下一抽氣循環(huán)的抽氣時間可縮短近一半,其原因為氮分予的吸附能遠比水氣分子小,在真空下充入氮氣后,氮分子先被真空室壁吸附了。由于吸附位是一定的,先被氮分子占滿了,其吸附的水分子就很少了,因而使抽氣時間縮短了。如果系統(tǒng)被擴散泵油噴濺污染了,還可以利用氮氣沖洗法來清洗被污染的系統(tǒng).一般是一邊對系統(tǒng)進行烘烤加熱,一邊用氮氣沖洗系統(tǒng),可將油污染消除。
2.反應氣體沖洗
這種方法特別適用于大型超高不銹鋼真空系統(tǒng)的內(nèi)部洗(去除碳氫化合物污染)。通常對于某些大型超高真空系統(tǒng)的真空室和真空元件,為了獲得原子態(tài)的清潔表面,消除其表面污染的標準方法是化學清洗,真空爐焙燒、輝光放電清洗及原能烘烤真空系統(tǒng)等方法。以上的清洗和除氣方法常用于真空系統(tǒng)安裝前及裝配期間。在真空系統(tǒng)安裝后(或系統(tǒng)運行后),由于真空系統(tǒng)內(nèi)的各種零部件已經(jīng)被固定,這時對它們進行除氣處理就很困難,一旦系統(tǒng)受到(偶然)污染(主要是大原子數(shù)的分子如碳氫化合物的污染),通常要拆卸后重新處理再安裝.而用反應氣體工藝,可以進行原位在線除氣處理.有效地除去不銹鋼真空室內(nèi)的碳氫化合物的污染.其清洗機理:在系統(tǒng)中引述氧化性氣體(O2、N0 )和還原性氣體(H2、N H3)對金屬表面進行化學反應清洗,消除污染,以便獲得原子態(tài)的清潔金屬表面。表面氧化/還原的速率取決于污染的情況及金屬表面的材質(zhì),表面反應速率的大小通過調(diào)整反應氣體的壓力和溫度來控制。對于每一種基材而言,精確的參數(shù)要通過實驗來確定.對于不同的結(jié)晶取向,這些參數(shù)是不同的.
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一.真空加熱清洗
將工件放置于常壓或真空中加熱.促使其表面上的揮發(fā)雜質(zhì)蒸發(fā)來達到清洗的目的,這種方法的清洗效果與工件的環(huán)境壓力、在真空中保留時間的長短、加熱溫度、污染物的類型及工件材料有關(guān)。其原理是加熱工件.促使其表面吸附的水分子和各種碳氫化合物分子的解吸作用增強。解吸增強的程度與溫度有關(guān)。在超高真空下,為了得到原子級清潔表面,加熱溫度必高于450度才行.加熱清洗方法特別有效。但有時,這種處理方法也會產(chǎn)生副作用。由于加熱的結(jié)果,可能發(fā)生某些碳氫化合物聚合成較大的團粒,并同時分解成碳渣
利用紫外輻照來分解表面上的碳氫化合物。例如,在空氣中照射15h就可產(chǎn)生清潔的玻璃表面。如果把適當預清洗的表面放在一個產(chǎn)生臭氧的紫外線源中.要不了幾分鐘就可以形成清潔表面(工藝清潔)。這表明臭氧的存在增加了清潔速率。其清洗機理是:在紫外線照射下,污物分子受激并離解,而臭氧的生成和存在產(chǎn)生高活性的原子態(tài)氧。受激的污物分子和由污物離解產(chǎn)生的自由基與原子態(tài)氧作用.形成較簡單易揮發(fā)分子.如H203、CO2和N2.其反應速率隨溫度的增加而增加.
三.放電清洗
這種清洗方法在高真空,超高真空系統(tǒng)的清洗除氣中應用的非常廣.尤其是在真空鍍膜設(shè)備中用的較多。利用熱絲或電極作為電子源.在其相對于待清洗的表面加負偏壓可以實現(xiàn)離子轟擊的氣體解吸及某些碳氫化合物的去除.清洗效果取決于電極材料、幾何形狀及其與表面的關(guān)系.即取決于單位表面積上的離子數(shù)和離子能量.從而取決于有效電功率。在真空室中充入適當分壓力的惰性氣體(典型的如Ar氣).可以利用兩個適當?shù)碾姌O間的低壓下的輝光放電產(chǎn)生的離子轟擊來達到清洗的目的。該方法中.惰性氣體被離化并轟擊真空室內(nèi)壁、真空室內(nèi)的其它結(jié)構(gòu)件及被鍍基片,它可以使某些真空系統(tǒng)免除被高溫烘烤。如果在充入的氣體中加入氧氣,對某些碳氫化合物可以獲得更好的清洗效果。因為氧氣可以使某些碳氫化合物氧化生成易揮發(fā)性氣體而容易被真空系統(tǒng)排除。不銹鋼高真空和超高真空容器表面上雜質(zhì)的主要成分是碳和碳氫化合物。一般情況下,其中的碳不能單獨揮發(fā).經(jīng)化學清洗后,需要引入Ar或Ar+O2混合氣體進行輝光放電清洗,使表面上的雜質(zhì)和由于化學作用被束縛在表面上的氣體得到清理.在輝光放電清洗中.較重要的參數(shù)是外加電壓的類型(交流或直流),放電電壓大小、電流密度、充入氣體種類和壓力.轟擊的持續(xù)時間.電極的形狀以及待清洗的部件的材料和位置等.
四.氣體沖洗
1.氮氣沖洗
氮氣在材料表面吸附時,由于吸附能小,因而吸留表面時間極短.即便吸附在器壁上,也很容易被抽走。利用氮氣的這種性質(zhì)沖洗真空系統(tǒng),可以縮短系統(tǒng)的抽氣時間。如真空鍍膜機在放入大氣之前,先用干燥氮氣充入真空室沖刷一下再充入大氣,則下一抽氣循環(huán)的抽氣時間可縮短近一半,其原因為氮分予的吸附能遠比水氣分子小,在真空下充入氮氣后,氮分子先被真空室壁吸附了。由于吸附位是一定的,先被氮分子占滿了,其吸附的水分子就很少了,因而使抽氣時間縮短了。如果系統(tǒng)被擴散泵油噴濺污染了,還可以利用氮氣沖洗法來清洗被污染的系統(tǒng).一般是一邊對系統(tǒng)進行烘烤加熱,一邊用氮氣沖洗系統(tǒng),可將油污染消除。
2.反應氣體沖洗
這種方法特別適用于大型超高不銹鋼真空系統(tǒng)的內(nèi)部洗(去除碳氫化合物污染)。通常對于某些大型超高真空系統(tǒng)的真空室和真空元件,為了獲得原子態(tài)的清潔表面,消除其表面污染的標準方法是化學清洗,真空爐焙燒、輝光放電清洗及原能烘烤真空系統(tǒng)等方法。以上的清洗和除氣方法常用于真空系統(tǒng)安裝前及裝配期間。在真空系統(tǒng)安裝后(或系統(tǒng)運行后),由于真空系統(tǒng)內(nèi)的各種零部件已經(jīng)被固定,這時對它們進行除氣處理就很困難,一旦系統(tǒng)受到(偶然)污染(主要是大原子數(shù)的分子如碳氫化合物的污染),通常要拆卸后重新處理再安裝.而用反應氣體工藝,可以進行原位在線除氣處理.有效地除去不銹鋼真空室內(nèi)的碳氫化合物的污染.其清洗機理:在系統(tǒng)中引述氧化性氣體(O2、N0 )和還原性氣體(H2、N H3)對金屬表面進行化學反應清洗,消除污染,以便獲得原子態(tài)的清潔金屬表面。表面氧化/還原的速率取決于污染的情況及金屬表面的材質(zhì),表面反應速率的大小通過調(diào)整反應氣體的壓力和溫度來控制。對于每一種基材而言,精確的參數(shù)要通過實驗來確定.對于不同的結(jié)晶取向,這些參數(shù)是不同的.
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